По конструктивно-технологическому исполнению различают полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС.
К полупроводниковым относят ПМС (полупроводниковые интегральные микросхемы), все элементы и межэлементные ,соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. Ё зависимости от способов изоляции отдельных элементов различают ПМС с изоляцией p-n-переходами и микросхемы с диэлектрической (оксидной) изоляцией. ПМС можно изготовить и на подложке из диэлектрического материала на основе как биполярных, так и полевых транзисторов. Обычно в этих схемах транзисторы выполнены ъ виде трехслойных структур с двумя р-n-переходами (n-p-n-типа), а диоды — в виде двухслойных структур с одним р-л-переходом. Иногда вместо диодов используют транзисторы в диодном включении.
Резисторы ПМС, представленные участками легированного полупроводника с двумя выводами, имеют сопротивление несколько ки-лоомов. В качестве высокоомных резисторов иногда используют обратное сопротивление р-n-перехода или входные сопротивления эмнт-терных повторителей.
Роль конденсаторов в ПМС выполняют обратно смещенные p-rt-переходы. Емкость таких конденсаторов составляет 50 — 200 пФ. Дроссели в ПМС создавать трудно, поэтому большинство устройств проектируют без индуктивных элементов. Все элементы ПМС получают в едином технологическом цикле в кристалле полупроводника. Соединения элементов таких схем осуществляются с помощью алюминиевых или золотых пленок, получаемых методом вакуумного напыления. Соединение схемы с внешними выводами производят алюминиевыми или золотыми проводниками диаметром около 10 мкм, которые методом термокомпрессии присоединяют к пленкам, а затем приваривают к внешним выводам микросхемы.
Полупроводниковые микросхемы могут рассеивать мощность 50 — 100 мВт, работать на частотах до 20 — 100 МГц, обеспечивать время задержки до 5 не. Плотность монтажа электронных устройств на ПМС — до 500 элементов на 1 см3. Среднее время безотказной работы устройства, содержащего 107 элементов, достигает 103 — 104,