СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА




Общие сведения - часть 9


Время рассасывания tp — интервал времени между моментом подачи на базу транзистора запирающего импульса и моментом, ког­да напряжение на коллекторе достигнет уровня (0,1 — 0,3) UH. Время рассасывания зависит от глубины насыщения транзистора Глубина насыщения определяется коэффициентом насыщения Лн=(Iбh21э)/Iк. Он показывает, во сколько раз ток базы транзистора, находящегося в режиме насыщения, больше тока базы, требуемого для перевода транзистора на границу насыщения, при которой напряжение на коллекторном переходе равно нулю.

Параметры предельных режимов устанавливают­ся исходя из условий обеспечения надежной работы транзисторов.

Чтобы радиотехнические устройства на транзисторах работали безот­казно, рабочие режимы транзисторов выбирают такими, при которых ток, -напряжения и мощность не превышают 0,8 их максимально до­пустимых значений. К параметрам предельных режимов относятся следующие.

Максимально допустимая рассеиваемая мощность коллектора Ас макс (при температуре окружающей среды TС или корпуса Тк), при которой обеспечивается сохранность транзистора. Превышение Рк макс ведет к перегреву и тепловому пробою транзистора. При по­вышении температуры среды или корпуса эта мощность должна сни­жаться. При заданной температуре корпуса Тк или окружающей сре­ды Tс допустимая мощность (Вт) Pк.макс=(Tпмакс — TK)/Rпк; Рк макс = (Tп мако — Tc)/Rnc, где Tп макс — максимально допустимая темпера­тура p-n-перехода, °С; Как и RПс — соответственно тепловое сопротив­ление переход — корпус и переход — окружающая среда, °С/мВт. Для транзисторов малой мощности Rac составляет 0,2 — 2°С/мВт, у биполярных транзисторов средней и большой мощности Rпк= 1 — 50 °С/мВт.

Предельно допустимая температура коллекторного перехода Тк п макс, характеризующая наибольшую температуру коллектора, при которой гарантируется работоспособность и сохранность тран­зистора. Рабочая температура коллектора зависит от мощности, рассеиваемой в основном на коллекторном -переходе, температуры окружающей среды и условий теплоотвода.


Содержание  Назад  Вперед