Транзисторы представляют собой электропреобразовательные полупроводниковые приборы с одним или несколькими электрическими переходами, пригодные для усиления мощности сигнала и имеющие три (или более) внешних вывода. Наиболее распространенные транзисторы имеют два электронно-дырочных перехода. В двухпереходных транзисторах используют два различных типа носителей заряда (электроны и дырки), поэтому их называют биполярными.
Основным элементом биполярного транзистора (рис. 52, а, б) является кристалл полупроводника, в котором с помощью примесей созданы три области с различной .проводимостью.» Если средняя область имеет электронную проводимость типа n, а две крайние — дырочную проводимость типа р, то структура такого транзистора обозначается р-n-р в отличие от структуры n-р-n, при которой транзистор имеет среднюю область с дырочной, а крайние области — с электронной проводимостями.
Средняя область кристалла полупроводника 1 (рис. 52, а), служащая основой для образования электронно-дырочных переходов, называется базой, крайняя область 2, инжектирующая (эмигрирующая) носители заряда, — эмиттером, а область 3, собирающая инжектированные носители заряда, — коллектором. К каждой из двух областей припаяны соответственно эмиттерный Э, базовый Б и коллекторный К токоотводы, которыми транзистор включается в схему. Кристалл укрепляют на специальном кристаллодержателе и. помещают в герметизированный металлический, пластмассовый или стеклянный корпус. Внешние токоотводы электродов проходят через изоляторы в дне корпуса.
Рис. 52. Устройство биполярного транзистора (а) и его условное обозначение (б)
Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Базовая область транзистора выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 10 — 20 мкм). Различна степень легирования областей. Обычно концентрация примесей в эмиттере на 2 — 3 порядка выше, чем в базе.