СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА
в цепи затвора при заданном
Рис. 71. Структура полевого МДП-транзистора с встроенным каналом
Ток утечки затвора IЗ.ут — ток в цепи затвора при заданном напряжении. Полевые транзисторы с управляющим р-я-переходом обычно имеют ток IЗ.ут, равный нескольким наноамперам, а с изолированным затвором — нескольким пикоамперам. Ток утечки затвора является неуправляемым током, который растет с увеличением температуры. Чем меньше этот ток, тем лучше качество транзистора.
Начальный ток стока Iс.нач, — ток в цепи стока при заданном напряжении на стоке и напряжении на затворе, равном нулю
Напряжение отсечки Uзи.0тс — напряжение на затворе при котором ток в цепи стока достигает заданного низкого значения (транзистор закрывается). В полевых транзисторах с индуцированным каналом ток в цепи стока появляется лишь при образовании канала при некотором пороговом напряжении на затворе UПОР
Параметрами режима малого сигнала являются следующие
Статическая крутизна S характеристики прямой передачи тока определяемая как отношение изменения тока в цепи стока к вызвавшему его изменению напряжения на затворе S=ДIc/ДU3 при
Обычно S=0,5+5 мА/В. Статический коэффициент усиления по напряжению ц=ДUс/ДUз ~ 25-100.
Выходное сопротивление Rвых=AUc/ДIc при U3=const, которое достигает десятков или сотен килоомов
Входное сопротивление RВХ=ДU3/ДI3 при Uc=const, которое достигает нескольких мегаомов и является преимуществом полевых транзисторов перед биполярными. В основном входное сопротивление определяется сопротивлением p-n-перехода, находящегося под постоянным обратным напряжением, при котором очень мал обратный ток затвора.
Входная емкость Сзи и проходная Ссз емкость — емкости между затвором и истоком и стоком и затвором (обычно несколько пикофарад). Проходная емкость представляет собой часть барьерной емкости р-л-перехода (затвора).
Частотными параметрами полевых транзисторов является ъра* ничная частота fг — частота, при которой коэффициент усиления по мощности усилительного каскада превышает единицу и определяется крутизной и выходной емкостью транзистора
Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий