СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА




Полупроводниковые линейно-импульсные микросхемы - часть 3


Входное сопротивле-ние, кОм...... 2 2

Коэффициент усиления на частоте 12 кГц . . „ 250 400

Постоянное напряже- ,.

ние на выходе, В ... 2,8 2,8

К1УС221В К1УС221Г КДУС221Д

Напряжение источника

питания, В.....+12,6 +12,6 +12,6

Входное сопротивле­ние, кОм ...... 2 2 2

Коэффициент усиления на частоте 12 кГц ... 350 500 800

Постоянное напряже­ние на выходе, В . . „ 9,6 9,6 9,6

К1УС222 (А, Б, В). Каскодный усилитель (рис. 143, о, б) ;

КДУС222А К1УС222Б КДУС222В

Напряжение ис­точника питания, В ....... ~4 .6,3 5,3

Входное сопро­тивление, кОм .1 1 I

Коэффициент усиления на час­тоте 12 кГц . . 15 25 40

Напряжение входного сигнала, мВ .,..,, 100 100-50

Рис. 143. Каскодный усилитель (а) и схема его включения (б)

 

Микросхемы серии К167

Выпускают с усилителями на МОП-транзисторах в круглом ме-таллостеклянном корпусе с 8 выводами (рис, 144), массой 1,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 45 до +70°С.

Рис. 144. Общий вид и основ­ные размеры микросхем К167

К1УС671. Усилитель низкой частоты (рис. 145,а,0).

Напряжение источника питания, В — 12

Ток потребления, мА ..... 5

Коэффициент усиления . . . . . . 500 — 1300

Предельная частота усиления, кГц 100 Коэффициент нелинейных искаже­ний, %........... 5

Входная емкость, пФ ..... 80

Выходное сопротивление, кОм . . 20 Коэффициент шума на частоте

10 кГц, дБ .... -..... 6,5

Рис. 145. Усилитель низкой частоты (а) и схема его включения (б)

 

Микросхемы серии К177

Выпускают в прямоугольном стеклянном корпусе с 14 выводами (рис. 146, а, б), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 45до.+85°С.

Рис. 146. Общий вид и основные размеры микросхем К177 (а) и вид сбоку (б)

К1УС771. Двухтактный усилитель напряжения (рис. 147, а, б)

Напряжение источника питания, В 12,6

Ток потребления, мА, при отсутст­вии сигнала............ 5

Коэффициент усиления4 по напря­жению на частоте 1 кГц .....80 — 150




Содержание  Назад  Вперед