СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА

       

Правила монтажа и эксплуатации


По функциональному назначению транзисторы в радиоэлект­ронных схемах делят: на двухпереходные биполярные (усилительные, импульсные; малошумящие, высоковольтные, фототранзисторы); полевые (униполярные) с каналом и управляющим затвором в ви­де p-n-перехода, с встроенным или индуцированным каналом и изо­лированным затвором Кроме того, транзисторы различают по мощ­ности и частоте.

По максимальной мощности Ркмакс, рассеиваемой коллектором, различают транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — на низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные.

В настоящее время действует система обозначения транзисторов, состоящая из четырех элементов Первый элемент — буква или циф­ра, обозначающая материал (Г или 1 — германий или его соедине­ния; К или 2 — кремний или его соединения; А или 3 — соединения галлия); второй элемент — буква, указывающая класс прибора (Т — биполярные транзисторы; П — полевые транзисторы), третий эле-мент — цифра, указывающая назначение и качественные свойства прибора, а также порядковый номер разработки в соответствии с табл. 107; четвертый элемент — буква, означающая разновидность типа (деление на параметрические группы).

Таблица 107

Частота транзистора, МГц

Третий элемент обозначения транзисторов при мощности, Вт, рассеиваемой коллек­тором

малой (До 0,3)

средней (от 0,3 до 1,5)

большой (более 1,5)

Низкая (до 3)

101 — 199

401 — 499

701 — 799

Средняя (от 3 до 30)

201 — 299

501 — 599

801 — 899

Высокая (от 30 до 300) ] Сверхвысокая (выше 300)

301 — 399

601 — 699

901 — 999

Примеры обозначений: КТ324А — кремниевый маломощный вы­сокочастотный транзистор, разновидность А; ГТ905Б — германиевый большой мощности высокочастотный транзистор, разновидность Б.

Обозначение транзисторов, разработанных до 1964 г, состоит из трех элементов Первый элемент — буква (транзистор); второй элемент — число, указывающее назначение и качественные свойства, а также порядковый номер разработки транзистора в соответствии с табл. 108, третий элемент — буква, означающая разновидность Типа прибора.


При монтаже транзисторов необходимо соблюдать следующие правила

Крепление транзисторов производят за корпус. Изгиб внешних выводов выполняют не ближе 10 мм от проходного изолятора (ес­ли нет других указаний), изгиб жестких выводов мощных транзи­сторов запрещается.

Пайку выводов осуществляют не ближе 10 мм от корпуса при­бора. При этом мощность паяльника должна быть не более 60 Вт, время пайки — не более 3 с, а температура — не выше 200 °С. В процессе монтажа необходимо исключить прохождение тока че­рез транзистор и обеспечить надежный теплоотвод.

Таблица 108

Частота транзи­стора, МГц

Второй элемент обозначения транзисторов при мощности рассеивания, Вт

германиевых

кремниевых

до 0,25 (малая)

более 0,25 (большая)

до 0,25 (малая)

более 0,25 (большая)

Низкая (до 5)

1 — 99

201 — 299

101 — 199

301 — 399

Высокая (более 5)

401 — 499

601 — 699

501 — 599

701 — 799

Транзисторы нельзя располагать вблизи тепловыделяющих эле-ментов (сетевых трансформаторов, мощных резисторов), а также в сильных электромагнитных полях.

При эксплуатации транзисторов надо выполнять следующие правила.

Полярность напряжения внешнего источника питания, подклю­чаемого к электродам транзистора, следует выбирать с учетом струк­туры транзистора и его рабочей схемы. При подключении транзи­стора к источнику питания первым присоединяют вывод базы, по­следним — вывод коллектора, а при отключении — в обратном по­рядке. Запрещается подавать напряжение на транзистор с отклю­ченной базой.

Для увеличения надежности и долговечности приборов рабочие надряжечия, гоки, мощность и температуру необходимо выбирать меньше предельно допустимых (около 0,7 их значений). Не разре­шается использовать транзисторы в совмещенных предельных ре­жимах хотя бы по двум параметрам (например, по току и напря­жению).

С целью защиты транзисторов от перенапряжений в их схемы включают стабилизирующие, демпфирующие и ограничивающие ди­оды.

Недопустима проверка схем на полупроводниковых приборах омметрами или другими приборами, могущими создавать перегруз­ки для диодов, транзисторов.



Содержание раздела







Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий