СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА




Способы обеспечения рабочего режима транзистора - часть 2


В схеме с ОБ режим смещения задается фиксированным током (рис. 81,0), проходящим через эмиттерный переход и резистор R1. Конденсатор Сб разделяет постоянную и переменную составляющие тока. Через этот конденсатор по переменной составляющей база по­лучает нулевой потенциал, поскольку для этой составляющей со­противление конденсатора Xc<Rl, потенциал базы близок к нулю. В приведенных схемах смещение на транзистор подается как парал­лельно источнику сигнала (см. рис. 81, а), так и последовательно с ним (см. рис. 81,6, в). Для отделения (по постоянному току) вы­хода источника сигнала от управляющего электрода транзистора в схемы включают разделительный конденсатор С1 (см. рис. 81, а, б).

Термостабилизация рабочей точки. Температурная стабилизация режима работы усилителя достигается введением в схему отрица­тельной обратной связи по току, напряжению или комбинированной. Для стабилизации рабочей тонки при изменениях температурного ре­жима работы транзистора схемы усилителей дополняют элементами эмиттерной и коллекторной стабилизации.

Эмиттерная стабилизация режима осуществляется с помощью ООС по постоянному току через эмиттерный резистор Rэ (рис. 82, а). При прохождении через резистор Ra тока Iэ значительно уменьшается напряжение, которое действует в противофазе с фиксированным на­пряжением смещения, снимаемым с резистора R2 делителя R1R2, С повышением температуры возрастает ток Iэ, что вызывает уве­личение тока Iб и Iк. При этом возрастает напряжение Uлэ=IэRэ на резисторе Ra, вследствие чего автоматически повышается резуль­тирующий потенциал на базе Eбэ= — UR2+UR9, что вызывает умень­шение токов Iэ, Iб и Iк. Емкость Сэ блокирует по переменному току резистор R9, благодаря чему устраняется падение напряжения сиг­нала на резисторе, исключается ООС по переменному току и сохра­няется постоянство коэффициента усиления каскада.

Коллекторная стабилизация осуществляется с помощью ООС по напряжению, которая достигается подключением резистора R1 не­посредственно к коллектору транзистора (рис. 82, б). При повыше­нии температуры и возрастании тока Iк (от исходного значения IОк) увеличивается падение напряжения на резисторе RK и соответствен­но уменьшается (по абсолютному значению) напряжение на коллек­торе икэ=Ек — IKRK и базе, что вызывает снижение тока базы Iб, а следовательно, и тока Iк, который стремится возвратиться к своему исходному значению Iок,




Содержание  Назад  Вперед