СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА



dinamica.spb.ru

Способы обеспечения рабочего режима транзистора - часть 4


Диод V2 в схеме компенсирует температурный сдвиг входной характеристики транзистора. С повышением температуры уменьша­ется падение напряжения на диоде в проводящем направлении, сле­довательно, уменьшается напряжение смещения во входной цепи транзистора. Обратный ток коллекторного перехода Iк.обр транзис­тора компенсируется диодом V2, обратный ток которого противопо­ложен обратному току транзистора.

§ 44. Сравнение схем включения транзисторов

Схемы включения биполярных транзисторов. Сравнительные данные свойств транзисторов в схемах с ОБ, ОК и ОЭ (см. рис. 54) приведены в табл. 132. В схеме с общей базой эмиттерный переход включен в прямом направлении, поэтому при незначительных изме­нениях напряжения ДUэ сильно меняется ток ДIэ, вследствие чего входное сопротивление транзистора rвх = ДUэ/ДIэ при UK=const мало (десятки омов). Коллекторный переход включен в обратном направлении, поэтому изменения напряжения на этом переходе ДUк незначительно влияют на изменения тока ДIк, вследствие чего вы­ходное сопротивление гвых = ДUк/ДIк при Iэ=const велико (до не­скольких мегаомов). Большое различие входных и выходных сопро­тивлений затрудняет согласование каскадов в многокаскадных уси­лителях.

Таблица 132

Параметры

Сравнительные показатели свойств транзисторов в схемах

с общей базой

с,общим эмитте­ром

с общим коллек­тором

Коэффициенты;

 

 

 

передачи

по току

0,6 — 0,95

 

Десятки —

сотни

Больше, чем в

схеме с ОЭ

усиления

Тысячи

Меньше, чем в

0,7 — 0,99

по напря-

жению

 

схеме с ОБ

 

 

усиления

Менее чем а

Большое (ты-

Меньше, чем в

по мощности

схеме с ОЭ

сячи)

схеме с ОЭ

Сопротивление:

 

 

 

входное

 

Малое (едини-

цы — десятки

омов)

Большое (де-

сятки — ты-

сячи омов)

Большое (сот-

ни килоомов)

 

выходное

 

Большое (ты-

сячи омов - единицы мегаомов)

Сотни омов, —

десятки ки лоомов

Единицы

омов — десятки килоомов

Сдвиг фаз

180°




Содержание  Назад  Вперед