Напряжение Uкэ, В, запертого транзистора

Электрические парамет­ры приведены ниже.

	ГТ806А		ГТ806Б	ГТ806В	ГТ806Г	ГТ806Д
Статический ко­эффициент пере­дачи тока при Iк=10 А ....	10 — 100		10 — 100	10 — 100	10 — 100	10 — 100
Напряжение Uкб, В . ...»	75		100	120	50	140
Напряжение Uкэ, В, запертого транзистора при Uбэ=1 В ....	7Ь		100	120	50	140
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iк== 15 А, Iб=2 А:
коллектор — эмиттер . . .		0,6
база — эмит­тер ....		1
Напряжение Uэб, В .....		1,5
Ток коллектора в режиме насыще­ния, А ....		.15
Ток коллектора запертого тран-зистора7 мА, при Uбэ=1 В и пре­дельно допусти­мых напряжени­ях UКЭ		15
Ток базы, А . .		3
Обратный ток эмиттера, мА, при Uэб = 1,5 В ...		8
Предельная ча­стота передачи то­ка, МГц, при UK= 5 В, Iк=1 А . .		10
Тепловое со­противление пе­реход — корпус, сС/Вт .....		2
Мощность, Вт, рассеиваемая кол­лектором, при тем­пературе корпуса, °С: 30 .....		30
55 .....		15 ,
Температура пе­рехода, °С . . ,		85
Время переклю­чения. МКС . . .		5

Транзистор n-р-n КТ808А выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (см. рис. 68, б), массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до тЫОО°С, Электрические параметры приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=3 В и Iк=6 А................. 10 — 50

Модуль коэффициента передачи тока при f=3,5 МГц, Uк=10 В и Iэ = 0,5 А............. 2

Ток коллектора, А.............. 10

Начальный ток коллектора, мА, при Uкэ=120 В . . 3 Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=10 В и 1э=

= 0,5 А.................. 50

Ток базы, А................ 4

Емкость коллектора, пФ, при f=1 МГц и Uк6= 100-В 500 Напряжение UЭб, В, в режиме насыщения при Iк=6 А


Содержание  Назад  Вперед

---

Forekc.ru
Рефераты, дипломы, курсовые, выпускные и квалификационные работы, диссертации, учебники, учебные пособия, лекции, методические пособия и рекомендации, программы и курсы обучения, публикации из профильных изданий

---

---

---