Низкочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ703 (А — Д) применяют для работы в выходных каскадах УНЧ и выпускают в металлическом герметичном корпусе массой 15 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +55 °С. Электрические параметры транзисторов поиведены ниже.
|
ГТ703А |
ГТ703Б |
ГТ703В |
ГТ703Г |
ГТ703Д |
Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В, Iк=50 мА |
30-70 |
50 — 100 |
30 — 70 |
50 — 100 |
20-45 |
Ток коллектору, А, в диапазоне рабочей температуры ...... |
|
|
3,5 |
|
|
Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=10 В . . |
|
|
50 |
|
|
Предельная частота передачи тока, кГц, в схеме с ОЭ при UK=2 В и Iк=0,5 А ... |
|
|
10 |
|
|
Обратный ток коллектора *, мкА |
|
|
500 |
|
|
Напряжение Uкэ, В, при Rб=50 Ом и Тк=55 °С ..... |
20 |
20 |
30 |
30 |
40 |
Напряжение Uкэ, В, в режиме насыщения при Iк=3 А .... |
|
|
0,6 |
|
|
Напряжение Uбэ, В, в режиме насыщения ** при Iк=3 А . , . , |
|
|
1 |
|
|
Мощность, рассеиваемая коллектором, Вт: |
|||||
с теплоотво-дом *** при TК<409С . . |
15 |
||||
без теплоотвода .... |
1,6 |
||||
Тепловое сопротивление пере- ход — корпус, |
|||||
°С/Вт ..... |
3 |
||||
Температура перехода, °С . . . |
85 |
* При напряжении коллектор — база, В, для групп ГТ703: 20 (А, Б), 80 (В! Г, Д). .
** При токе базы, мА, для групп ГТ703: 150 (А, Б), 90 (Б, Г) и 225 (Д). *** При температуре корпуса выше 40 °С мощность, Вт, Ркмакс= -=(85-Гс°С)/3.
Транзисторы n-р-n КТ704 (А, Б, В) применяют для работы в схемах строчной развертки цветных телевизоров и выпускают в металлическом корпусе с монтажным винтом и жесткими выводами (рис. 67), массой 15,5 г. Электрические параметры приведены ниже.
Рис. 67. Цоколевка и основные размеры транзистора КТ704
|
ГТ704А |
ГТ704Б |
ГТ704В |
Статический коэффициент передачи тока при UK= 15 В и Iэ=1 А .... |
15 |
15 |
15 |
Модуль коэффициента передачи тока при f= 1 МГц Uк=10 В и Iк=0,1 А .. . . |
3 |
3 |
3 |
Ток коллектора, А: постоянный при Тк= +50°С |
|
2,5 |
|
Импульсный, А ....... |
|
4 |
|
Начальный ток коллектора, мА ........ |
5 |
|
|
Обратный ток эмиттера, мА, при Uб=4 В . . . . |
100 |
||
Импульсное напряжение UK3, В, при Rб<10 Ом, гимп=10 мс и Q<50 . . . |
1000 |
700 |
500 |
Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=2 Аи 7б=1,5А: база — эмиттер . . , |
3 |
||
коллектор — эмиттер |
5 |
||
Постоянное напряжение икэ, в ........ |
200 |
||
Напряжение UЭб, В . , |
4 |
||
Ток базы, А ..... Мощность, рассеиваемая коллектором, Вт, при Tй= - + 50°С . ...... |
2 15 |
||
Граничная частота передачи тока, МГц ... . . |
3 |
||
Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт . |
5 |
||
Температура корпуса, °С |
100 |
||
Температура перехода, °С |
125 |