СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА




Транзисторы малой мощности - часть 4


Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при Tк<45°С ................ 160

Импульсная мощность на коллекторе, Вт, при TК<45°С ................ 20

* При токе базы 140 мА — для транзисторов ГТ321А, ГТ321Г; 70 мА — для ГТ321Б, ГТ321Д и 36 мА — для ГТ321В, FT321E

Транзисторы р-n-р ГТ322 (А, Б, В) применяются для работы в УВЧ радиовещательных приемникрв и выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис. 59, б), массой 0,6 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до -{-55 °С. Корпус Кр тран­зистора электрически соединен с четвертым выводом и может быть использован в качестве экрана. Электрические параметры транзи­сторов приведены в табл. 113.

Таблица 113

Параметры

Типы транзисторов

ГТ322А

ГТ322Б

ГТ322В

Статический коэффициент передачи тока

30 — 100

50 — 120

20 — 120

Модуль коэффициента передачи тока на f=20 МГц

4

4

2,5

Емкость коллектора, пФ, при Uкб= — 5В и f=10 МГц

1,8

1,8

2,5

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при f=5 МГц

. 50

100

200

Обратный ток коллектора, мкА, при UКб= — 10 В и температуре, °С:

20.................. 4

55.................. 100

Входное сопротивление *, Ом, в схеме с ОБ в диа­пазоне частот от 50 до 1000 Гц...... . 34

Выходная проводимость*, мкСм, в схеме с ОБ в.

диапазоне частот от 50 до 1000 Гц...... 1

Коэффициент шума *, дБ, на частоте 1,6 МГц . . 4

Тепловое сопротивление, °С/мВт....... 0,7

Ток коллектора, мА............ 5

Напряжение UKn, В............ — 15

Напряжение UK3, В при Rб>10 кОм..... 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при Tк<25°С ................ 50

» При икб-----5 В и 1Э=1 мА.

Транзисторы n-р-n ГТ323 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис 59, в), массой 2 г, с диапа­зоном рабочих температур — 55 до +60 °С. Электрические парамет­ры транзисторов приведены в табл 114.

Таблица 114

Параметры

Типы транзисторов

ГТ323А

ГТ323Б

ГТ323В

Статический коэффициент передачи тока при Iк =0,5 А и Uкв=5 В

20 — 60

40 — 120

50 — 200

Время рассасывания, не, при Iк — 1 А и токе базы *

100

100

150




Содержание  Назад  Вперед