СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА



Туннельные и обращенные диоды - часть 2


сопротивление потерь Rп в объеме полупроводника на контактах

и выводах диода;

максимальная частота fмакс, до которой активная составляющая полного сопротивления эквивалентной схемы диода (рис. 47, б) ос­тается отрицательной:

Параметры

Типы диодов

АИ101А

АИ101Б

АИЮ1В

АИ101Д

АИ101Е

АИ101И

Пиковый ток, мА

1

1

2

2

5

5

Напряжение пика,

0,16

0,16

0,16

0,16

0,18

0,18

В

 

 

 

 

 

 

Отношение пико-

5

5

6

6

6

6

вого тока к то-

 

 

 

 

 

 

ку впадины

 

 

 

 

 

 

Емкость, пФ

4

2 — 8

5

3 — 10

8

4-13

Индуктивность,

1

1

1

1

1

1

нГн

 

 

 

 

 

 

Сопротивление*,

24

22

16

14

8

7

Ом

 

 

 

 

 

 

* При амплитуде импульса обратного тока диодов АИ101А, Б — 30 мА, АИ101В, Д — 40 мА и АИ101Е, И — 80 мА.

В третью группу входят параметры предельных режимов: мак­симально допустимые значения постоянного или среднего токов и напряжений Iпр макс, Uпр маке, Iобр макс, Uовр-макс, а также мощности рмакс и мощности в импульсе заданной длительности Ри.макс.

Действие обращенных диодов основывается на исполь­зовании обратной пробойной ветви ВАХ при туннельном механизме пробоя. Переход диода изготовляется из высоколегированного, но не вырожденного материала. Обратная ветвь ВАХ (рис. 47, в) диода имеет большую кривизну, чем прямая ветвь, и используется более эффективно вместо прямой для детекторов, смесителей, умножите­лей электрических колебаний. Поскольку поменялись роли (места) прямой и обратной ветвей ВАХ, диоды называют обращенными.

Параметрами обращенных диодов являются:

прямой ток IПр при заданном прямом напряжении Uпр;

обратное напряжение Uовр при заданном обратном токе IОБР;

Максимально допустимые прямой IПр макс U Обратный Iобр маке

токи;

допустимый пиковый ток Iп прямой ветви;

емкость Сд при заданном обратном смещении.




Содержание  Назад  Вперед